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本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统，所述半导体器件包括：第一半导体结构，包括晶体管、第一电容以及第二电容；其中，所述第一电容位于所述晶体管的一端，所述第一电容中的一个电极与所述晶体管的漏极耦接；所述第一电容被配置为存...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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