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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述衬底的部分上表面；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述刻蚀阻挡层；从所述介质层的顶部向所述刻蚀阻挡层刻蚀，形成暴露所述刻蚀...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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