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光探测装置、成像装置和测距图像捕捉装置制造方法及图纸
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下载光探测装置、成像装置和测距图像捕捉装置的技术资料
文档序号:3607575
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一种光敏感区包括由P型半导体构成的半导体衬底40,以及在该半导体衬底40的表面上形成的N型半导体区域41和42。因此,每个光敏感部分包括一部分半导体衬底40和一对区域41和42,从而构成光电二极管。每个区域41和42呈近似三角形的形状,且如...
该专利属于浜松光子学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过浜松光子学株式会社授权不得商用。
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