光探测装置、成像装置和测距图像捕捉装置制造方法及图纸

一种光敏感区包括由Ｐ型半导体构成的半导体衬底４０，以及在该半导体衬底４０的表面上形成的Ｎ型半导体区域４１和４２。因此，每个光敏感部分包括一部分半导体衬底４０和一对区域４１和４２，从而构成光电二极管。每个区域４１和４２呈近似三角形的形状，且如此形成使区域４１的一边在一个象素中与区域４２的一边相毗连，反之亦然。第一导线４４用于在第一方向全部在每个象素中将一边上的区域４１电连接，并设置在各象素之间沿第一方向延伸。第二导线４７用于在第二方向全部在每个象素中将另一边上的区域４７电连接，并设置在各象素之间沿第二方向延伸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光探测装置，其中象素具有二维阵列的光敏感区，其特征在于，其中通过在一个平面内将多个光敏感部分相互毗连放置来构成一个象素，多个光敏感部分中的每个光敏感部分输出对应于入射到每个光敏感部分上的光强的电流；在构成每个象素的多个光 敏感部分中，一边上的光敏感部分在二维阵列中排列在第一方向上的多个象素相互电连接；及在构成每个象素的多个光敏感部分中，另一边上的光敏感部分在二维阵列中排列在第二方向上的多个象素的所有象素上相互电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉山行信，丰田晴义，向坂直久，水野诚一郎，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]