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本公开的各实施例涉及电荷耦合场效应整流二极管及其制造方法。以第一绝缘层内衬半导体衬底中的沟槽。使用沉积在第一绝缘层上的硬掩模层控制蚀刻的执行，该蚀刻从上沟槽部分选择性地去除第一绝缘层的第一部分，同时在下沟槽部分中留下第一绝缘层的第二部分。在...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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