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本公开提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有基板、半导体层以及栅电极、源电极和漏电极，半导体层具有：电子渡越层，具备第一上表面；以及电子供给层，在电子供给层和电子渡越层形成有第一开口和第二开口，第一开口的底面和第二开口的底面...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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