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本公开内容涉及用于栅极帽盖部增强的保护层。本文描述的实施例可以涉及与在SAC图案化期间保护晶体管栅极结构内的金属栅极相关的装置、过程和技术。具体地，实施例包括区域选择性沉积技术，以在栅极上或在栅极帽盖部上沉积对SAC蚀刻具有良好选择性的膜。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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