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一种半导体装置及其形成方法，形成半导体的方法包括在突出于基板的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在突出于基板第一半导体鳍片的第二半导体鳍片中形成第二凹槽，并在第一凹槽及第二凹槽中形成源极/漏极区。形成源极/漏极区包括在第一凹槽中形成第一层的第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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