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一种沟槽填充方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；采用化学气相沉积工艺形成第一钨层，所述第一钨层填满所述第一沟槽；采用物理气相沉积工艺形成第二钨层，所...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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