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本发明提供一种像素传感器及制造其的方法，所述方法在衬底上沉积接触刻蚀停止层。接触刻蚀停止层包括小于约12％的氢。沉积接触刻蚀停止层包括在高于约600℃的温度、高于约150Torr的压力和/或在至少高于约70:1的比例的NH3和SiH4下沉积...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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