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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供半导体衬底，包括电阻区，电阻区的半导体衬底上形成有电阻结构材料层；在电阻区中，在电阻结构材料层中形成一个或多个平行的沟槽，沟槽贯穿部分厚度的电阻结构材料层；在形成沟槽后，图形化电阻结构材料层，去...
该专利属于中芯北方集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯北方集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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