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本文中描述了半导体装置及制造半导体装置的方法。方法包含自栅极遮罩的一部分形成第一蚀刻终止层，栅极遮罩在与栅电极相邻的间隔物之间延伸，栅电极上覆于半导体鳍。方法进一步包含：形成与第一蚀刻终止层相邻的第二蚀刻终止层；形成穿过第二蚀刻终止层的开口...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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