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用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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