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公开了包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法。双极晶体管，包括公共集电极区，所述公共集电极区包括掩埋半导体层和环形阱。阱区被环形阱围绕，并被掩埋半导体层所界定。第一基极区和第二基极区由阱区形成，并通过垂直栅结构彼此隔开。在第一基极...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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