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本发明涉及一种分离输入的存内计算单元阵列及装置。该阵列中的存内计算单元中的第一6T SRAM和第二6T SRAM并联在位线BLB和位线BL之间，且第一6T SRAM和第二6T SRAM均与字线WL连接，管M7的栅极与第一6T SRAM的节点...
该专利属于中科南京智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中科南京智能技术研究院授权不得商用。

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