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本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；形成图形化的氮化硅层，通过干法刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽中形成二氧化硅隔离结构，其上表面与半导体衬底上表面的高度差形成第一阶梯高度；通过第一氮化硅湿法刻蚀去除部分氮化硅...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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