温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法，多晶硅干法刻蚀的方法包括：提供半导体基底；于半导体基底表面形成多晶硅层；于多晶硅层表面形成光阻层，并对光阻层进行图形化，以使光阻层形成打开区与阻止区，且打开区贯穿光阻层；基于打开区对...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。