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本发明提供了一种1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法，其中的结构包括底层晶体管单元、设置在所述底层晶体管单元上的阻变存储集成单元以及设置在所述阻变存储集成单元上的选择器件集成单元；其中，所述阻变存储集成单元包括设置在所述底层晶体管单元上...
该专利属于昕原半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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