温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种高耐温度的IGBT功率模块，包括基板、外壳、防护组件、限位组件和减震组件，基板的顶端面焊接有电子元件，设于基板的外壳，防护组件设置在基板的顶端面上，用于防止硅胶凝受到拉拔力时对电子元件从基板上脱离...
该专利属于合肥中恒微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥中恒微半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。