一种高耐温度的IGBT功率模块制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种高耐温度的IGBT功率模块，包括基板、外壳、防护组件、限位组件和减震组件，基板的顶端面焊接有电子元件，设于基板的外壳，防护组件设置在基板的顶端面上，用于防止硅胶凝受到拉拔力时对电子元件从基板上脱离，本发明专利技术通过防护组件将每组的弧形座沿着垂直滑杆或弧形座上滑动，使得防护弹件之间形成呈方格形状设置，便于在硅凝胶和呈方格形状的防护弹件形成一体时，因此在对外壳和基板之间进行强力拆卸而产生的拉拔力不会使得硅凝胶对电子元件造成损坏，而且本发明专利技术还可以通过控制块将弧形座快速安装或拆卸，同时便于对每组弧形座进行移动，防止呈方格的防护弹件对电子元件的通道造成阻碍。成阻碍。成阻碍。

【技术实现步骤摘要】
一种高耐温度的IGBT功率模块


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体为一种高耐温度的IGBT功率模块。

技术介绍

[0002]IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管构成的功率模块，IGBT功率模块一般以铜底板或功率基板作为底板，其中功率芯片通过连接材料连接至功率基板，而实现功率芯片的机械支撑，且通过功率基板进行散热，为了对IGBT功率模块内部的电子元件进行长期有效的保护，因此利用硅胶凝和环氧树脂对IGBT功率内部进行灌封，从而起到稳定的介电绝缘性作用，同时防止外界的环境起到有效的屏障。
[0003]然而在对IGBT功率模块使用过程中存在以下难题:1、当IGBT功率模块内部的电子器件出现问题需要进行拆卸时，而现有的外壳是通过硅凝胶与底板粘贴固定的，但是硅凝胶硬化之后形成弹性材料，一般情况下硅胶凝与IGBT功率模块内部电气元件形成一体，因此在对其进行拆卸过程中，硅凝胶在外壳和基板之间的拆卸压力下产生一种拉拔力，这些拉拔力容易导致IGBT功率模块内部连接电子元件从基板上脱离，从而导致IGBT功率模块内部损坏；2、现有的IGBT功率模块将安装在经常产生震动的机器上，然后通过螺栓和机器进行固定连接，因此其之间缺少对震动的缓冲，虽然IGBT功率模块内部的硅胶凝起到抗震作用，但是IGBT功率模块内部的芯片和基板焊接固定的，因此基板在机器上的震动压力下发生震动的现象，导致芯片和连接材料产生不稳定，从而不利于IGBT功率模块的电气安全性。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高耐温度的IGBT功率模块，有效地解决对IGBT功率模块拆卸时导致硅凝胶对电子元件的拉拔力，造成其电子元件的损坏以及IGBT功率模块缺少对震动的缓冲的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高耐温度的IGBT功率模块，包括：基板，所述基板的顶端面焊接有电子元件；外壳，设于所述基板的外壳，所述外壳的前后两端设置有限位传动组件，用于驱动外壳上下限位移动；防护组件，所述防护组件设置在所述基板的顶端面上，用于防止硅胶凝受到拉拔力时对所述电子元件从基板上脱离，所述防护组件包括安装在基板顶端面的方形框架，所述方形框架内侧壁设置有多个呈网状的防护弹件；限位组件，所述限位组件设置在基板的外侧壁，用于对基板进行限位夹紧；减震组件，所述减震组件设置在基板的底部上，用于对基板起到缓冲作用。
[0006]优选地，所述方形框架的顶部拐角处安装有呈矩形阵列的固定块，所述位于左右两端的固定块之间均安装有水平滑杆，所述位于前后两端的固定块均安装有垂直滑杆，所
述水平滑杆和垂直滑杆的外侧均滑动设置有呈线性阵列的弧形座，且弧形座的一端所对应防护弹件的一侧为固定连接。
[0007]优选地，所述基板的顶端面且位于方形框架的外侧安装有浇筑板，所述浇筑板的内侧壁且位于方形框架的顶部安装有平齐板，所述方形框架的内侧壁开设有呈矩形阵列垂直槽。
[0008]优选地，所述弧形座为弹性材料制作，所述弧形座的上下两端安装有控制块。
[0009]优选地，所述平齐板的顶部且位于控制块的正下方开设有呈矩形阵列的多个第一凹槽，且第一凹槽呈向上倾斜式设置，所述方形框架的顶端面且位于控制块正下方开设有呈矩形阵列的多个第二凹槽，且第二凹槽呈向下倾斜式设置。
[0010]优选地，所述限位组件包括焊接在基板底端面的限位底板，所述基板的左右两端均安装有两个限位方形杆，所述基板的左右两端设置有与两个限位方形杆相滑动连接的T型板，所述限位底板的左右两端开设有用于T型板限位移动的贯穿孔，所述T型板的垂直端在贯穿孔内侧，所述限位底板的中部螺纹连接有横向设置的双头螺杆，且双头螺杆的左右两端穿过贯穿孔后并与T型板的垂直端螺纹连接，所述双头螺杆的左端转动穿过限位底板的左侧后并安装有扭转帽，所述T型板的相对侧安装有两个第一楔块，所述基板的前后两端安装有与第一楔块相挤压的第二楔块。
[0011]优选地，所述减震组件包括减震板，所述限位底板的底端面开设有传动槽，所述限位底板的底部且位于传动槽内设置有呈线性阵列的第一转板，所述第一转板的前后两端通过铰链连接方式分别与限位底板和减震板连接，所述第一转板的中部传动连接有第二转板，所述第二转板远离第一转板的一端转动连接有移动座，所述移动座靠近限位底板的一侧转动连接有滚珠，所述限位底板的底端面对应滚珠的一侧开设有限位移动槽，且限位移动槽内铺设有玻璃棉，所述限位底板的底端面且位于移动座的左侧安装有弹簧伸缩杆，所述弹簧伸缩杆的移动端在移动座的左侧上固定连接，所述减震板的底端面安装有呈矩形阵列的多个橡胶垫。
[0012]优选地，所述限位传动组件包括呈矩形阵列安装在基板顶端面的固定丝杆，所述外壳的前后两端侧壁开设有两个移动槽，每组所述移动槽的内侧安装有两个移动箱，所述固定丝杆的顶端转动穿过移动箱的底部并转动连接有螺帽，且固定丝杆的顶端滑动穿过移动箱的顶部，所述移动箱的内腔底壁转动连接有与螺帽固定连接的第一锥齿轮，两个所述移动箱相对侧内腔侧壁通过轴承转动连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿轮，两个所述移动箱之间转动连接有与第二锥齿轮固定连接的传动杆，所述传动杆的中部固定连接有驱动齿轮，所述外壳位于驱动齿轮的一侧面开设有避让槽。
[0013]优选地，所述基板的顶端面安装有两个横向设置的紧固板，所述外壳的内侧开设有第一板槽，所述外壳的内侧且位于第一板槽底部开设有第二板槽，所述外壳的前后两端开设有与紧固板相适配的第三板槽，所述外壳的前后两端面所对应第三板槽的一侧螺纹连接有螺栓，所述螺栓的一端依次螺纹穿设有外壳和紧固板之间。
[0014]优选地，所述第二板槽、第三板槽和外壳的底端面均铺设有橡胶材料。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术通过防护组件将每组的弧形座沿着垂直滑杆或弧形座上滑动，使得防护弹件之间形成呈方格形状设置，便于在硅凝胶和呈方格形状的防护弹件形成一体时，因此
在对外壳和基板之间进行强力拆卸而产生的拉拔力不会使得硅凝胶对电子元件造成损坏，而且本专利技术还可以通过控制块将弧形座快速安装或拆卸，同时便于对每组弧形座进行移动，防止呈方格的防护弹件对电子元件的通道造成阻碍,而且方形框架内侧设置垂直槽，有利于硅凝胶通过垂直槽内侧凝固，进而增大硅凝胶和方形框架之间的摩擦力，以便于后期对外壳和基板进行拆卸时，起到了稳固作用，减少硅凝胶对电子元件的大幅度损坏；2、本专利技术设置限位组件将驱动双头螺杆，从而带动T型板和第一楔块相对运动，使得基板在T型板的水平端和第一楔块的压制作用下，实现对基板全方位夹紧目的，然后配合减震组件的第一转板、第二转板、移动座、滚珠、弹簧伸缩杆和玻璃棉相互配合下，将机器上的震动充分冲缓，进而将震动力大大降低，从而减少对IGBT功率模块产生震动力；本专利技术通过设置限位传动组件将驱动驱动齿轮旋转运动，使得每组的移动箱沿着固定丝杆上升降运动，以便在对外壳进行拆卸过程中，可以使得外壳缓慢升降运动，避免外壳拆卸时左右晃动，进而影响硅凝胶在电子元件上产生横向拉拔力。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：包括：基板（1）；所述基板（1）的顶端面焊接有电子元件（3）；外壳（2），设于所述基板（1）的外壳（2），所述外壳（2）的前后两端设置有限位传动组件（7），用于驱动外壳（2）上下限位移动；防护组件（4），所述防护组件（4）设置在所述基板（1）的顶端面上，用于防止硅胶凝受到拉拔力时对所述电子元件（3）从基板（1）上脱离，所述防护组件（4）包括安装在基板（1）顶端面的方形框架（41），所述方形框架（41）内侧壁设置有多个呈网状的防护弹件（49）；限位组件（5），所述限位组件（5）设置在基板（1）的外侧壁，用于对基板（1）进行限位夹紧；减震组件（6），所述减震组件（6）设置在基板（1）的底部上，用于对基板（1）起到缓冲作用。2.根据权利要求1所述的一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：所述方形框架（41）的顶部拐角处安装有呈矩形阵列的固定块（43），位于左右两端的所述固定块（43）之间均安装有水平滑杆（44），位于前后两端的所述固定块（43）均安装有垂直滑杆（45），所述水平滑杆（44）和垂直滑杆（45）的外侧均滑动设置有呈线性阵列的弧形座（46），且弧形座（46）的一端所对应防护弹件（49）的一侧为固定连接。3.根据权利要求1或2所述的一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：所述基板（1）的顶端面且位于方形框架（41）的外侧安装有浇筑板（101），所述浇筑板（101）的内侧壁且位于方形框架（41）的顶部安装有平齐板（102），所述方形框架（41）的内侧壁开设有呈矩形阵列的垂直槽（42）。4.根据权利要求2所述的一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：所述弧形座（46）为弹性材料制作，所述弧形座（46）的上下两端安装有控制块（47）。5.根据权利要求3所述的一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：所述平齐板（102）的顶部设有呈矩形阵列的多个第一凹槽（103），且第一凹槽（103）位于控制块（47）的正下方，且第一凹槽（103）呈向上倾斜式设置，所述方形框架（41）的顶端面设有呈矩形阵列的多个第二凹槽（48），且第二凹槽（48）位于控制块（47）正下方，且第二凹槽（48）呈向下倾斜式设置。6.根据权利要求2或3所述的一种高耐温度的IGBT功率模块，其特征在于：所述限位组件（5）包括焊接在基板（1）底端面的限位底板（51），所述基板（1）的左右两端均安装有两个限位方形杆（52），所述基板（1）的左右两端设置有与两个限位方形杆（52）相滑动连接的T型板（53），所述限位底板（51）的左右两端开设有用于T型板（53）限位移动的贯穿孔（54），所述T型板（53）的垂直端在贯穿孔（54）内侧，所述限位底板（51）的中部螺纹连接有横向设置的双头螺杆（55），且双头螺杆（55）的左右两端穿过贯穿孔（54）后并与T型板（53）的垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁磊，王凯锋，邱道权，黄磊，周灿，
申请(专利权)人：合肥中恒微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：