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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底上方形成模具叠层结构及存储节点网状结构；模具叠层结构包括沿远离衬底方向交替层叠的模具层和支撑层；模具叠层结构具有网格图案，存储节点网状结构位于所述网格图案内；采用一次构图工...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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