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本公开实施例公开了一种半导体器件，包括：绝缘层、位于所述绝缘层之上的晶体管和导电结构；所述晶体管，包括：并列设置的源极、沟道和漏极；栅介质层和栅极结构；其中，所述栅介质层位于所述栅极结构和所述沟道之间；所述导电结构，覆盖所述沟道的一个侧壁，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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