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本发明公开了一种SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法。所述制作方法包括：提供外延结构，所述外延结构包括依次叠设的衬底、绝缘层和外延层，在所述外延层表面的第一区域加工形成第一孔洞；在所述第一孔洞内设置与绝缘层材质相同的绝缘填充层；在所述第...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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