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本发明公开了高压JFET器件，包括在衬底上形成第一阱区、第二阱区和第三阱区，在第二阱区、第三阱区内形成第一分压环、第二分压环和第三分压环，场氧化层包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分连接第一分压环，第二部分和第三部分连接第二分压环，第...
该专利属于东莞市金誉半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市金誉半导体有限公司授权不得商用。

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