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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。其中，半导体结构包括：基片，包括衬底以及介质层，衬底具有相对设置的第一正面与第一背面，介质层位于第一正面；连通孔，贯通衬底，且延伸至介质层；第一绝缘层，位于连通孔内壁表面；保护阻挡层，位于第一绝缘层表面...
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