【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法、堆叠结构
[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体结构及其形成方法、堆叠结构。
技术介绍
[0002]硅通孔(TSV)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种技术方案。由能够在三维方向有效地实现芯片堆叠，从而制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的电子器件，TSV技术成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。
[0003]然而，由于TSV结构的传输信号的电磁场存在，TSV结构之间的噪声耦合相当严重。特别是在高密度TSV结构阵列中，受耦合电容和耦合电感的影响，已成为影响TSV结构电性能的主要因素。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要提供一种能够降低TSV结构之间的噪声信号耦合的半导体结构及其形成方法、堆叠结构。
[0005]一种半导体结构，包括：
[0006]基片，包括衬底以及介质层，所述衬底具有相对设置的第一正面与第一背面，所述介质层位于所述第一正面；
[0007]连通孔，贯通所述衬底，且延伸至所述介质层；
[...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基片，包括衬底以及介质层，所述衬底具有相对设置的第一正面与第一背面，所述介质层位于所述第一正面；连通孔，贯通所述衬底，且延伸至所述介质层；第一绝缘层，位于所述连通孔内壁表面；保护阻挡层，位于所述第一绝缘层表面，且接地；第二绝缘层，位于所述保护阻挡层表面；连通结构，位于所述第二绝缘层表面，且填满所述连通孔。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层内设有金属层，所述保护阻挡层通过所述金属层接地。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层内还设有连接线，所述连接线连接所述保护阻挡层与所述金属层，所述金属层、连接线及保护阻挡层共同构成电磁屏蔽环。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层内还设有绝缘结构，所述绝缘结构将所述连接线以及所述保护阻挡层绝缘封闭。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构包括第一绝缘部以及第二绝缘部，所述第一绝缘部位于所述连接线与所述第二绝缘部之间，所述第二绝缘部将所述连接线以及所述保护阻挡层绝缘封闭。6.根据权利要求1
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5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层包括间隔设置的第一子绝缘层与第二子绝缘层，所述保护阻挡层、所述第一子绝缘层、所述连通结构以及所述第二子绝缘层围设形成空气间隙。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙贯穿所述衬底与所述介质层的交界面。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙的与所述介质层相对的部分的宽度小于与所述衬底相对的部分的宽度。9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述连通结构包括阻挡层与导电结构，所述阻挡层包括相互连接的第一子阻挡层与第二子阻挡层，所述导电结构包括第一导电层与第二导电层，所述第一子阻挡层位于所述第一子绝缘层表面，所述第一导电层位于所述第一子阻挡层表面，所述第二子阻挡层位于所述第二子绝缘层表面，所述第二导电层位于所述第二子阻挡层表面，且填满所述连通孔，所述第二导电层与所述第一导电层之间由所述第二子阻挡层间隔，或者，所述第二导电层与连接所述第一导电层。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二子阻挡层的厚度大于所述第一子阻挡层的厚度。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片包括衬底以及介质基层，所述衬底具有相对设置的第一正面与第一背面，所述介质基层位于所述第一正面，所述基片内形成连通孔，所述连通孔贯通所述衬底，且延伸至所述介质基层；于所述连通孔内形成第一绝缘层、保护阻挡层、第二绝缘层以及连通结构，
所述第一绝缘层位于所述连通孔内壁表面；所述保护阻挡层位于所述第一绝缘层表面；所述第二绝缘层位于所述保护阻挡层表面；所述连通结构位于所述第二绝缘层表面，且填满所述连通孔；其中，所述介质基层被去除部分，以使得所述保护阻挡层接地，剩余的介质基层构成介质层。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述连通孔自所述第一背面刻蚀形成。13.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质基层设有金属层，所述保护阻挡层通过所述金属层接地。14.根据权利要求13所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王路广，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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