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本发明提供芯片封装结构的修复方法，所述方法包括：腐蚀去掉所述第一焊联体后，在所述芯片布线层上涂覆光刻胶形成第一固化介电层，使所述第一导电柱和第一金属阻挡层包封在所述第一固化介电层中；研磨所述第一固化介电层去除所述第一金属阻挡层得到第二固化介...
该专利属于长电集成电路（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长电集成电路（绍兴）有限公司授权不得商用。

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