芯片封装结构的修复方法技术

本发明专利技术提供芯片封装结构的修复方法，所述方法包括：腐蚀去掉所述第一焊联体后，在所述芯片布线层上涂覆光刻胶形成第一固化介电层，使所述第一导电柱和第一金属阻挡层包封在所述第一固化介电层中；研磨所述第一固化介电层去除所述第一金属阻挡层得到第二固化介电层，形成芯片退镀封装体；在所述芯片退镀封装体与第一导电柱对应的第一金属阻挡层上制备第二外联导电部件，得到修复后的芯片封装结构；其解决了现有技术中芯片封装结构的修复方法存在腐蚀芯片布线层中铜层的问题，不存在化学药液渗透腐蚀芯片布线层中铜层的问题，保证了芯片布线层中铜层的结构完整性，从而提高了修复后的芯片封装结构的稳定性。后的芯片封装结构的稳定性。后的芯片封装结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构的修复方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及适用于芯片封装结构的修复方法。

技术介绍

[0002]目前在如图1所示的芯片封装结构中，所述芯片封装结构包括芯片包封体P1、芯片布线层13、第一导电柱12、第一金属中介层11和第一焊联体10；其中，芯片包封体P1为芯片100提供绝缘包封保护；芯片布线层13包括铜层13a和介电层13b，且介电层13b为铜层13a提供介电绝缘防护作用；由于产线工艺处理中存在的各种异常情况会在第一焊联体10、第一金属中介层11和/或第一导电柱12中造成工艺缺陷，不能满足产品的质量需求，因而需要将不良的第一焊联体10、第一金属中介层11和第一导电柱12组成的第一外联导电部件腐蚀掉以制备新的无缺陷的外联导电部件，在重新制备新的无缺陷的第一外联导电部件时需要在平整的基面上完成光刻胶的涂敷和光刻开口，因此通常是以布线层13所在的表面为基准面来腐蚀去除布线层表面上所有的第一外联导电部件。
[0003]在现有的第一外联导电部件的退镀工艺中，通常是先用特殊配比的硝酸体系化学药液腐蚀掉第一焊联体1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的修复方法，其特征在于，所述芯片封装结构包括芯片包封体、芯片布线层和待修复的第一外联导电部件，其中所述第一外联导电部件包括与所述芯片布线层相连的第一导电柱、用于与外部封装基板连接的第一焊联体，以及设置在第一导电柱和第一焊联体之间的第一金属中介层，所述修复方法包括：腐蚀去掉所述第一焊联体后，在所述芯片布线层上涂覆光刻胶形成第一固化介电层，使所述第一导电柱和第一金属中介层包封在所述第一固化介电层中；研磨所述第一固化介电层去除所述第一金属中介层得到第二固化介电层，形成芯片退镀封装体；在所述芯片退镀封装体与第一导电柱对应的第一金属阻挡层上制备第二外联导电部件，得到修复后的芯片封装结构。2.如权利要求1所述的芯片封装结构的修复方法，其特征在于，在所述芯片退镀封装体与第一导电柱对应的第一金属阻挡层上制备第二外联导电部件，得到修复后的芯片封装结构，包括：在所述第二固化介电层上沉积第一金属阻挡层；在所述第一金属阻挡层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影得到具有开口阵列的牺牲介电层，其中所述开口阵列与位于第一金属阻挡层下方的第一导电柱相对应；在所述开口阵列上制备第二外联导电部件，清洗去除所述牺牲介电层和位于牺牲介电层下方的第一金属阻挡层后得到所述修复后的芯片封装结构。3.如权利要求2所述的芯片封装结构的修复方法，其特征在于，第二外...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝汉品，梁新夫，林煜斌，李雨，罗光耀，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：