下载半导体器件及其形成方法的技术资料

文档序号:35091884

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提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括:形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆;形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆;将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与多个...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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