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一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层和第一间隔物；在所述第二掩模层上形成光刻胶图案；通过经由第一蚀刻工艺来图案化所述第二掩模层而形成第二掩模图案；通过经由第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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