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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,包括第一器件区和第二器件区,第一器件区包括沟道区、位于沟道区两侧的预设区域以及环绕沟道区和预设区域的阱区接触区;第一隔离结构,位于预设区域与阱区接触区之间、以及阱区接触区与相邻第二器件区之间的基底...该专利属于中芯北方集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯北方集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,包括第一器件区和第二器件区,第一器件区包括沟道区、位于沟道区两侧的预设区域以及环绕沟道区和预设区域的阱区接触区;第一隔离结构,位于预设区域与阱区接触区之间、以及阱区接触区与相邻第二器件区之间的基底...