温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底和连通部，连通部位于衬底内，连通部包括第一连接层、第二连接层以及第三连接层，第二连接层位于第一连接层上，第三连接层位于第二连接层上；其中，第一连接层、第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。