半导体结构及半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底和连通部，连通部位于衬底内，连通部包括第一连接层、第二连接层以及第三连接层，第二连接层位于第一连接层上，第三连接层位于第二连接层上；其中，第一连接层、第二连接层以及第三连接层包括不同的导电材料，第二连接层和第三连接层的热膨胀系数均小于第一连接层的热膨胀系数，即第二连接层和第三连接层受热膨胀变化较小，从而减小对连通部的周边晶格的影响，以此改善半导体结构的性能。以此改善半导体结构的性能。以此改善半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，连通部内填充的金属导电材料，在受热膨胀过程中会影响连通部周边晶格，从而影响半导体结构的性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。
[0004]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
[0005]衬底；
[0006]连通部，连通部位于衬底内，连通部包括第一连接层、第二连接层以及第三连接层，第二连接层位于第一连接层上，第三连接层位于第二连接层上；
[0007]其中，第一连接层、第二连接层以及第三连接层包括不同的导电材料，第二连接层和第三连接层的热膨胀系数均小于第一连接层的热膨胀系数。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，第二连接层的热膨胀系数小于第三连接层的热膨胀系数。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，第二连接层或第三连接层包括石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；连通部，连通部位于所述基底内，所述连通部包括第一连接层、第二连接层以及第三连接层，所述第二连接层位于所述第一连接层上，所述第三连接层位于所述第二连接层上；其中，所述第一连接层、所述第二连接层以及所述第三连接层包括不同的导电材料，所述第二连接层和所述第三连接层的热膨胀系数均小于所述第一连接层的热膨胀系数。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接层的热膨胀系数小于所述第三连接层的热膨胀系数。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接层或所述第三连接层包括石墨烯，所述第一连接层包括铜。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接层位于所述第一连接层内。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三连接层位于所述第一连接层内。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接层与所述第三连接层在垂直于所述基底方向上的投影相重合；其中，所述第三连接层的顶端与所述第一连接层的顶端相平齐。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接层与所述第三连接层在垂直于所述基底方向上的投影相重合。8.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接层、所述第二连接层以及所述第三连接层在垂直于所述基底方向上的投影相重合。9.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：硅衬底，所述第二连接层的底端低于所述硅衬底的上表面；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述硅衬底的上表面，且覆盖所述连通部的外表面。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，刘杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：