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一种记忆体装置及记忆体阵列，记忆体装置包括晶体管及电连接至晶体管的电阻器。晶体管与电阻器形成第一一次可程序(OTP)记忆体单元。电阻器包括具有一电阻率的金属基层，用以自第一电阻状态不可逆地转换至第二电阻状态。自第一电阻状态不可逆地转换至第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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