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本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体器件的外延结构包括衬底，以及依次位于衬底一侧的背势垒层、沟道层和势垒层，势垒层与沟道层之间形成有二维电子气，背势垒层包括Al
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该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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