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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底；对衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一离子注入区域；第一离子注入区域从衬底的上表面向衬底内部延伸；刻蚀衬底以形成字线沟槽；字线沟槽贯穿第一离子注入区域，并延伸至其下方；字线沟槽...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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