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本发明涉及一种存储器器件的制造方法、存储器器件及系统。该制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠层，所述堆叠层包括堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和第二堆栈分别包括交替堆叠的牺牲层和电介质层，其中，所述第一堆栈的顶层与所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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