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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于同时提升器件结构均为环栅晶体管的NMOS晶体管和PMOS晶体管的载流子迁移率。所述制造方法包括：在衬底具有的第一阱区上形成第一环栅晶体管、以及在衬底具有的第二阱区上形成第二环栅晶...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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