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一种半导体装置的形成方法，包括：在半导体结构的源极区与漏极区的上方形成第一层间介电层；在第一层间介电层的上方形成第一遮罩材料；在第一遮罩材料蚀刻出多个第一开口；以填充材料填充第一开口；在填充材料蚀刻出第二开口；以第二遮罩材料填充第二开口；移...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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