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本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括沿第一横向方向延伸的栅极结构。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构的一侧上的源极/漏极结构，第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构至源极/漏极结构之间的气隙，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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