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半导体良率监测方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸
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文档序号:34727150
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本申请提供一种半导体良率监测方法、装置、电子设备和存储介质,涉及半导体制造技术领域。本申请可以根据采集工艺参数数据和测量良率数据,分别确定制造过程中的各个工艺参数与良率的相关系数,从各个工艺参数中选择良率相关参数,仅根据良率相关参数对应的工...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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