【技术实现步骤摘要】
半导体良率监测方法、装置、电子设备和存储介质
[0001]本申请涉及半导体制造
，具体地说，涉及一种半导体良率监测方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
[0002]半导体制造是一个高度自动化的产业，在半导体集成电路的制造过程中，产品的良率对于成本预算及产出价值有着关键的影响。因此，在半导体制造过程中需要监测良率异常情况的发生，以确保工艺稳定性。
[0003]半导体的制造过程通常包括多个工艺加工过程，会产生大量的工艺参数数据，如果基于大量的工艺参数数据预测半导体的良率，运算量很大，不仅不必要地消耗很多计算资源，而且影响数据处理效率。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体良率监测方法、装置、电子设备和存储介质，可以降低资源消耗，提高数据处理效率。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种半导体良率监测方法，所述方法包括：
[0007]获取在半导体样本的制造过程中采集的工艺参数数据，以及针...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体良率监测方法，其特征在于，所述方法包括：获取在半导体样本的制造过程中采集的工艺参数数据，以及针对所述半导体样本的测量良率数据；根据所述工艺参数数据和所述测量良率数据，分别确定制造过程中的各个工艺参数与良率的相关系数；根据所述各个工艺参数与良率的相关系数，从所述各个工艺参数中选择良率相关参数；根据各个良率相关参数对应的工艺参数数据和所述测量良率数据，构建良率预测模型；根据设定的良率变化阈值和所述良率预测模型，分别确定各个良率相关参数对应的变化阈值；在半导体制造过程中，对各个良率相关参数进行监测，若任意一个良率相关参数的变化量达到对应的变化阈值，则发出报警信息。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造过程包括多个工艺加工过程，所述工艺参数数据包括在所述半导体样本的多个工艺加工过程中采集的工艺参数数据，所述测量良率数据包括在多个工艺加工过程之后，对所述半导体样本进行检测得到的多组测量良率数据；所述根据所述工艺参数数据和所述测量良率数据，分别确定制造过程中的各个工艺参数与良率的相关系数，包括：分别确定每组测量良率数据对应的工艺参数数据；其中，第一组测量良率数据对应的工艺参数数据包括在检测得到所述第一组测量良率数据之前的各个工艺加工过程中采集的工艺参数数据；所述第一组测量良率数据为所述多组测量良率数据中的任意一组测量良率数据；根据每组测量良率数据和每组测量良率数据对应的工艺参数数据，分别确定所述各个工艺参数与良率的相关系数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述工艺参数数据和所述测量良率数据，分别确定制造过程中的各个工艺参数与良率的相关系数，包括：根据各个工艺参数对应的工艺参数数据与测量良率数据之间的协方差和标准差，分别确定各个工艺参数与良率的相关系数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各个良率相关参数对应的工艺参数数据和所述测量良率数据，构建良率预测模型，包括：将各个良率相关参数对应的工艺参数数据进行归一化处理；根据所述测量良率数据和归一化后的工艺参数数据，构建所述良率预测模型。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述良率预测模型表示为：其中，Y表示良率，X
i
表示第i个良率相关参数，C
i
表示第i个良率相关参数的权重，n表示良率相关参数的个数，b为常数。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据设定的良率变化阈值和所述良率
预测模型，分别确定各个良率相关参数对应的变化阈值，包括：将所述良率预测模型中各个良率相关参数的权重的倒数，作为各个良率相关参数相对于良率的变化系数；根据各个良率相关参数相对于良率的变化系数和所述良率变化阈值，分别确定各个良率相关参数对应的变化阈值。7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述各个工艺参数与良率的相关系数，从所述各个工艺参数中选择良率相关参数，包括：按照相关系数的绝对值从大到小的顺序，将各个工艺参数进行排序；选择排列在前的设定数量的工艺参数作为所述良率相关参数，或者，选择排列在前的设定比例的工艺参数作为所述良率相关参数。8.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述各个工艺参数与良率的相关系数，从所述各个工艺参数中选择良率相关参数，包括：将相关系数的绝对值大于或等于设定系数阈值的工艺参数作为所述良率相关参数。9.一种半导体良率...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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