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本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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