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结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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