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本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括介电结构、存储元件结构以及顶部电极。存储元件结构设置在介电结构中，且存储元件结构包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一侧及与第一侧相对的第二侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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