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一种半导体装置包含在基材上的通道区域上的栅极结构；邻接通道区域的源极/漏极区域；在源极/漏极区域的第一部分上的覆盖层；在源极/漏极区域的第二部分上的硅化物；以及通过硅化物电性连接至源极/漏极区域的源极/漏极接点。接点。接点。
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该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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