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一种存储器装置包括晶体管及存储单元。晶体管包括第一栅极电极、第二栅极电极、沟道层及栅极介电层。第二栅极电极位于第一栅极电极上。沟道层位于第一栅极电极与第二栅极电极之间。栅极介电层位于沟道层与第二栅极电极之间。存储单元夹置在第一栅极电极与沟道...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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