存储器装置、集成电路及存储器装置的制造方法制造方法及图纸

一种存储器装置包括晶体管及存储单元。晶体管包括第一栅极电极、第二栅极电极、沟道层及栅极介电层。第二栅极电极位于第一栅极电极上。沟道层位于第一栅极电极与第二栅极电极之间。栅极介电层位于沟道层与第二栅极电极之间。存储单元夹置在第一栅极电极与沟道层之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置、集成电路及存储器装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种存储器装置、集成电路及存储器装置的制造方法。更具体来说，本专利技术实施例涉及一种将存储单元以及栅极电极分别设置在沟道层两侧的存储器装置、集成电路及存储器装置的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进展已造就了几代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演化的过程中，功能密度(即，每芯片区域中的内连装置的数目)普遍增大，同时几何大小(即，可使用制作工艺形成的最小组件或迹线)已减小。此种按比例缩小工艺一般通过提高生产效率及降低相关联的成本来提供有益效果。

技术实现思路

[0003]一种存储器装置包括晶体管及存储单元。所述晶体管包括第一栅极电极、第二栅极电极、沟道层及栅极介电层。所述第二栅极电极位于所述第一栅极电极上。所述沟道层位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间。所述栅极介电层位于所述沟道层与所述第二栅极电极之间。所述存储单元夹置在所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其中，包括：晶体管，包括：第一栅极电极；第二栅极电极，位于所述第一栅极电极上；沟道层，位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间；以及栅极介电层，位于所述沟道层与所述第二栅极电极之间；以及存储单元，夹置在所述第一栅极电极与所述沟道层之间。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一栅极电极连接到对地电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二栅极电极连接到比所述对地电压高的电压。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储单元包括：障壁层，设置在所述第一栅极电极上；穿隧层，设置在所述障壁层上；以及陷获层，夹置在所述障壁层与所述穿隧层之间。5.一种集成电路，其中，包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底上；以及内连线结构，设置在所述衬底上，包括：多个介电层；以及存储器装置，嵌置在所述多个介电层中的一者中，包括：第二晶体管，包括：第一栅极电极；沟道层，位于所述第一栅极电极上；第二栅极电极，位于所述沟道层上；栅极介电层，位于所述沟道层与所述第二栅极电极之间；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟昀晏，郑兆钦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：