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本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有导通压降自钳位的半导体器件及其制备方法；本发明相比传统快恢复二极管结构，集成可自钳位压降的齐纳二极管结构，通过在沟槽内上部纵向交替设置第一N型多晶硅和第一P型多晶硅，下部横向交替设置第二N型...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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