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本公开提出一种半导体装置。根据本公开，示例性的半导体装置包括多个第一通道纳米结构，位于第一装置区中彼此间隔开；多个第二通道纳米结构，位于第二装置区中彼此间隔开；介电鳍片，位于第一装置区与第二装置区之间的边界；高介电常数介电层，围绕每个第一通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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